Karbur tas-silikon oħxon
Karbur tas-silikonju 100 naqal Deskrizzjoni
It-tielet -semikondutturi ta' ġenerazzjoni ta' tagħmir elettroniku ta' qawwa għolja-rappreżentat minn SiC huwa wieħed mill-apparati semikondutturi tal-qawwa li qed jikbru b'rata mgħaġġla fil-qasam tal-elettronika tal-enerġija.
Karbur tas-silikon bħala rappreżentant tipiku tat-tielet ġenerazzjoni ta 'materjali semikondutturi, iżda wkoll it-teknoloġija tal-produzzjoni tal-kristall l-aktar matura u l-livell tal-manifattura tal-apparat, wieħed mill-materjali semikondutturi tal-bandwidth wiesa' l-aktar użati, iffurmat katina globali tal-industrija tal-materjali, apparat u applikazzjonijiet. Huwa materjal semikonduttur ideali għal applikazzjonijiet ta'-temperatura għolja,-frekwenza għolja,-reżistenti għar-radjazzjoni u-qawwa għolja.
Speċifikazzjoni tal-Prodotti tal-Karbur tas-Silikon
Fornituri tal-Prodotti tal-Karbur tas-Silikon-ZhenAn International
| ANALIŻI KIMIKA TIPIKA | |
| SiC | 99.05% |
| SiO2 | 0.20% |
| F,Si | 0.03% |
| Fe2O3 | 0.10% |
| F.C | 0.04% |
| PROPRJETAJIET FIŻIĊI TIPIKA | |
| Ebusija: | Mohs:9.5 |
| Punt tat-tidwib: | Sublimi f'2600 grad |
| Temperatura massima tas-servizz: | 1900 grad |
| Gravità speċifika: | 3.2g/ċm³ |
| Densità tal-massa (LPD): | 1.2-1.6 g/ċm3 |
| Kulur: | Aħdar |
| Forma tal-partiċelli: | Eżagonali |
Silikon Carbide 100 Grit manifattur -ZhenAn International
Fornitur tat-Trab SiC-ZhenAn
Proprjetajiet mekkaniċi:ebusija għolja (ebusija Kjeldahl ta '3000kg/mm²), tista' taqta 'ruby; reżistenza għolja għall-ilbies, it-tieni biss għad-djamant.
Proprjetajiet termali:il-konduttività termali taqbeż dik tar-ram metalliku, 3 darbiet dik tas-Si u 8 sa 10 darbiet dik ta 'GaAs, dissipazzjoni tajba tas-sħana, importanti ħafna għal apparati ta' qawwa għolja.
Proprjetajiet kimiċi:reżistenza għall-korrużjoni hija qawwija ħafna, f'temperatura tal-kamra tista 'tirreżisti kważi kull aġenti korrużivi magħrufa. Ossidazzjoni faċli tal-wiċċ tas-SiC biex tiġġenera saff irqiq ta 'SiO2, tista' tevita l-ossidazzjoni ulterjuri tagħha, f'ogħla minn 1700 grad, dan is-saff ta 'tidwib tal-film tal-ossidu u reazzjoni ta' ossidazzjoni rapida. SiC jista 'jiġi maħlul f'materjal ta' aġent ossidanti imdewweb.
Proprjetajiet elettriċi:4H-SiC u 6H-SiC band gap hija madwar 3 darbiet dik tas-Si, 2 darbiet dik tal-GaAs; is-saħħa tal-kamp elettriku tat-tqassim tagħha hija ordni ta' kobor ogħla minn dik tas-Si, u r-rata ta' drift tal-elettroni tas-saturazzjoni hija 2.5 darbiet dik tas-Si. 4H-SiC għandha band gap usa' minn 6H-SiC.
36 Grit Silicon Carbide Ritratti taż-żjara tal-Klijent
FAQ
Q: Il-prezz huwa negozjabbli?
A: Iva, jekk jogħġbok tħossok liberu li tikkuntattjana ghaċ jekk għandek xi mistoqsijiet. U għall-klijenti li jridu jkabbru s-suq, aħna se nagħmlu l-almu tagħna biex nappoġġjawhom.
Q: Tista 'tforni kampjuni b'xejn?
A: Iva, nistgħu nipprovdu kampjuni b'xejn lill-klijenti għalihom biex jiċċekkjaw il-kwalità jew jagħmlu l-analiżi kimiċi, imma jekk jogħġbok għidilna r-rekwiżiti dettaljati biex nippreparaw il-kampjuni t-tajbin.
Q: Meta tista 'twassal il-merkanzija?
A: Normalment, nistgħu nwasslu l-oġġetti fi żmien 15-20 jum wara li nirċievu l-ħlas bil-quddiem jew L/C oriġinali.
Q: Tista' tforni rapport tat-test maħruġ minn SGS jew spezzjoni oħra ta'-parti terza?
A: Iva, nistgħu, jekk il-klijenti jitolbu rapporti tat-test ta'-parti terza.
Sinċerament nittamaw li nkunu s-sieħba tiegħek, nilqgħu klijenti ġodda u qodma biex iżuru l-gwida kif ukoll diversi forom ta 'taħdidiet ta' kooperazzjoni kummerċjali!
It-tags Popolari: karbur tas-silikon oħxon, manifatturi taċ-Ċina karbur tas-silikon oħxon, fornituri, fabbrika
Par ta ' l-
Trab tal-karbur tas-silikonLi jmiss
Naqal tal-karbur tas-silikonTista 'Tħobb ukoll
Ibgħat l-inkjesta