Midja tal-Karbur tas-Silikon
video

Midja tal-Karbur tas-Silikon

Silicon Carbide Media fis-semikondutturi fil-forma ewlenija ta 'eżistenza hija bħala materjal sottostrat, ibbażat fuq il-karatteristiċi eċċellenti tiegħu, il-prestazzjoni tal-limitu tal-użu tas-sottostrat tal-karbur tas-silikon hija aħjar mis-sottostrat tas-silikon.
Ibgħat l-inkjesta
Introduzzjoni tal-Prodott

100 Grit Silicon Carbide Deskrizzjoni

Karbur tas-silikon fis-semikondutturi fl-eżistenza tal-forma prinċipali huwa bħala materjal sottostrat, ibbażat fuq il-karatteristiċi eċċellenti tiegħu, l-użu tal-prestazzjoni tal-limitu tas-sottostrat tal-karbur tas-silikon huwa aħjar mis-sottostrat tas-silikon, is-sottostrat tal-karbur tas-silikon jista 'jissodisfa t-temperatura għolja, pressjoni għolja, frekwenza għolja, qawwa għolja u kundizzjonijiet oħra tal-ħtiġijiet tal-applikazzjoni, is-sottostrat attwali tal-karbur tas-silikon ġie applikat għal apparati ta' frekwenza tar-radju u apparati ta 'enerġija.

 

Jekk inti interessat il-prodotti tagħna, ikkuntattjana issa! Nistgħu nippersonalizzaw il-prodotti tagħna skont il-ħtiġijiet tal-klijenti!

 

 

 

Speċifikazzjoni tal-karbur tas-silikon 120 grit

Fornituri ta' 120 Grit Silicon Carbide-ZhenAn International

 

Oġġett SiC F.C Fe2O3 Umdità
SiC 86 86%min 2.4% max 2.0% max 0.2% max
SiC 88 88% min 2.3% max 2.0% max 0.2% max
SiC90 90% min 2.0% max 1.8% max 0.2% max
SiC92 92% min 1.8% max 1.7% max 0.2% max
SiC93 93% min 1.8% max 1.6% max 0.2% max
SiC 95 95% min 1.0% max 1.3% max 0.2% max
SiC97 97% min 0.8% max 1.2% max 0.2% max
SiC97.5 97.5% min 0.8% max 0.9% max 0.2% max
SiC98 98% min 0.5% max 0.5% max 0.2% max

 

1200 Grit Silicon Carbide Fornitur Professjonali -ZhenAn

1200 Grit Silicon Carbide Professional supplier-ZhenAn

 

180 Grit Silicon Carbide manifattur -ZhenAn International

180 Grit Silicon Carbide manufacturer-ZhenAn International

Il-vantaġġi tal-apparati tal-karbur tas-silikon huma kif ġej:

(1)reżistenza ta' vultaġġ għoli-.Is-saħħa tal-kamp elettriku tat-tqassim hija kbira, 10 darbiet dik tas-silikon, b'apparati tal-karbur tas-silikon jistgħu jiġu ppreparati biex itejbu ħafna l-kapaċità li jifilħu l-vultaġġ, il-frekwenza operattiva u d-densità tal-kurrent, u tnaqqas ħafna t-telf tal-konduzzjoni tal-apparat. Allura fil-proċess ta 'applikazzjoni attwali, meta mqabbel mal-bażi tas-silikon jista' jiġi ddisinjat f'volum iżgħar, madwar 1/10 tal-apparat ibbażat fuq is-silikon-.


(2)Reżistenza għat-temperatura għolja.L-apparati semikondutturi f'temperaturi ogħla se jipproduċu eċitazzjoni intrinsika ta 'trasportaturi, li jirriżultaw f'falliment tal-apparat. Iktar ma tkun kbira l-wisa 'ta' medda projbita, iktar tkun għolja t-temperatura operattiva li tillimita l-apparat. Il-medda pprojbita tal-karbur tas-silikon hija qrib tliet darbiet dik tas-silikon, li tiżgura l-affidabbiltà tal-apparati tal-karbur tas-silikon li joperaw f'temperaturi għoljin. It-temperatura operattiva li tillimita l-apparati tas-silikon ġeneralment ma tistax taqbeż it-300 grad, filwaqt li t-temperatura operattiva li tillimita l-apparati tal-karbur tas-silikon tista 'tilħaq aktar minn 600 grad. Fl-istess ħin, il-konduttività termali tal-karbur tas-silikon hija ogħla mis-silikon, konduttività termali għolja tgħin id-dissipazzjoni tas-sħana tal-apparat tal-karbur tas-silikon, fl-istess qawwa tal-ħruġ biex tinżamm temperatura aktar baxxa, apparat tal-karbur tas-silikon huwa wkoll għalhekk inqas impenjattiv fuq id-disinn tad-dissipazzjoni tas-sħana, li jgħin biex jinkiseb il-minjaturizzazzjoni tal-apparat.


(3) Il-kisba ta '-prestazzjoni ta' frekwenza għolja rata ta 'drift tal-elettroni tas-saturazzjoni tal-karbur tas-silikon hija kbira, darbtejn dik tas-silikon, li jiddetermina l-apparat tal-karbur tas-silikon jista' jikseb frekwenza operattiva ogħla u densità ogħla ta 'enerġija. Fl-istess ħin, it-telf tal-enerġija tal-materjal tas-sottostrat tal-karbur tas-silikon huwa iżgħar. Fl-istess vultaġġ u frekwenza ta 'konverżjoni, f'400V, it-telf ta' enerġija ta 'inverter MOSFET tal-karbur tas-silikon huwa ta' madwar 29%-60% tat-telf ta 'enerġija ta' IGBT-ibbażat fuq is-silikon; f'800V, it-telf ta 'enerġija ta' inverter MOSFET tal-karbur tas-silikon huwa madwar 30% -50% tat-telf ta 'enerġija ta' IGBT ibbażat fuq is-silikon. Għalhekk it-telf ta 'enerġija ta' apparati tal-karbur tas-silikon huwa ħafna inqas.

 

180 Grit Silicon Carbide Trab Ritratti taż-żjara tal-Klijent

180 Grit Silicon Carbide Powder Customer visit photos

 

 

 

 

FAQ

 

 

Q: Inti manifattur?

A: Iva, aħna manifattur li jinsab f'Anyang City, Henan Province.As fornitur professjonali ta 'materja prima metallurġika, aħna dejjem inpoġġu l-kwalità tal-prodott l-ewwel. Aħna nużaw l-aktar tagħmir u teknoloġija avvanzata mill-kontroll tal-materja prima, il-proċess tal-manifattura u s-sistema ta 'kontroll tal-kwalità biex niżguraw li l-prodotti tagħna jilħqu l-istandards tal-industrija u jissodisfaw il-ħtiġijiet tal-klijenti.

 

Q: Liema tip ta 'termini ta' ħlas taċċetta?

A: Għal ordni żgħira, tista 'tħallas permezz ta' T/T, Western Union jew Paypal, ordni normali minn T/T jew LC lill-kont tal-kumpanija tagħna

 

Q:How nista 'nikseb kampjun ta' Silicon Carbide Media?

A: kampjuni b'xejn huma disponibbli, iżda t-tariffi tal-merkanzija se jkunu fil-kont tiegħek u l-ħlasijiet se jiġu rritornati lilek jew jitnaqqsu mill-ordni tiegħek fil-futur.

 

Q: Kif tikkonferma l-Kwalità tal-Prodott qabel ma tagħmel ordnijiet?

A: Tista 'tikseb kampjuni b'xejn għal xi prodotti, għandek bżonn biss tħallas l-ispiża tat-tbaħħir jew tirranġa kurrier lilna u tieħu l-kampjuni. Tista 'tibgħatilna l-ispeċifikazzjonijiet u t-talbiet tal-prodott tiegħek, aħna nimanifatturaw il-prodotti skont it-talbiet tiegħek.

It-tags Popolari: midja tal-karbur tas-silikon, iċ-Ċina manifatturi tal-midja tal-karbur tas-silikon, fornituri, fabbrika

Ibgħat l-inkjesta

Id-dar

Tat-telefon

Indirizz elettroniku

Inkjesta